스에 도입한 것으로 확인됐다.
삼성전자가 차세대 반도체노광장비인 '하이 뉴매리컬애퍼처(NA) 극자외선(EUV)노광장비'를 화성캠퍼스에 도입한 것으로 확인됐다.
하이 NA EUV는 2나노미터(1nm=10억분의1m) 이하 초미세 회로를 구현하는데 필수적인 장비로, 삼성전자가 2나노 이하 공정 완성도를 높이겠다는 조치로 풀이된다.
램리서치는 첨단 식각장비의 성능 고도화를 위해 기존 소재 대비 100배 더 빠른 반응 속도를 구현해 극자외선(EUV)노광공정 시 발생할 수 있는 결함 발생을 줄였다고 설명했다.
또, 생산성 및 공정 수율 제고를 위해 밀리초(ms) 단위의 빠른 응답 속도를 통해 웨이퍼 생산량을 극대화하고, 정밀한 식각.
미국 반도체장비업체 램리서치는 최신 반도체 식각장비인 'Akara'를 11일 공개했다.
Akara는 플라즈마 처리 기술을 기반으로 3차원(3D) 칩 제조에.
이런 반도체는 복잡한 3D 구조를 필요로 하고 극자외선(EUV)노광패터닝과 초미세 식각 공정이 필수적이다.
높은 종횡비(high aspect ratio) 구조의 미세.
램리서치는 이번장비에서 고체 상태 플라즈마 소스인 '다이렉트드라이브'를 적용, 기존 플라즈마 소스 대비 100배 더 빠른 속도로 구현해 EUV노광결함 발생을 줄였다.
아울러 플라즈마 종을 정밀 제어해 향상된 식각 선택성, 마이크로 로딩 성능을 제공하도록 구성했다.
나아가 칩4 동맹(한국‧미국‧일본‧대만)을 결성해 첨단 반도체의 중국 수출을 제한하고 네덜란드 반도체 장비 업체 ASML이 7나노(10억분의 1)미터 이하 첨단 반도체 생산에 필수적인 극자외선(EUV)노광 장비를 중국에 수출하는 것도 금지했다.
바이든 정부에 이어 트럼프 2기 행정부도 반도체를 핵심 국가.
ASML은 첨단 반도체 제조를 위해 반드시 필요한 EUV(극자외선)노광 장비를 만드는 유일한 기업이다.
EUV노광 장비는 반도체 웨이퍼에 극자외선을 쪼여 나노 단위로 회로를 그린다.
반도체는 회로 선폭이 좁을수록 소비 전력이 줄고 데이터 처리 속도는 빨라진다.
ASML의 EUV노광 장비는 초고가라.
SMIC는 또 미국의 반도체 장비 수출 규제로 극자외선(EUV)노광 장비확보도 어려워 5나노 이하 첨단 공정 기술 개발에 차질을 빚고 있다.
대만 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 TSMC가 3나노 공정으로 제작한 반도체 웨이퍼.
< TSMC > TSMC를 제외하면 삼성전자와 인텔 파운드리만이 첨단 AI 반도체 제작이.
경무기획정보화장비과(교육)노광일 ▲대전 경무기획정보화장비과(교육) 우상욱 ▲대전 경무기획정보화장비과(교육) 전석준 ▲대전 경무기획정보화장비과(교육) 이완수 ▲울산 경무기획정보화장비과(교육) 심혜은 ▲경기남부 경무기획과(교육) 우동석 ▲경기남부 경무기획과(교육) 최영신 ▲경기남부.
미국의 대중 기술 압박은 과거 2022년 10월 반도체 수출통제에서 시작해 2023년에는 193nm 이상 파장의 DUV노광장비까지 규제 범위를 확대한 바 있다.
이는 중국의 AI 연구와 첨단 반도체 개발을 직접 제한하려는 의도로 풀이된다.
20세기 미·소 냉전과 현재의 미·중 첨단 기술 경쟁은 세계 패권을 향한.
최근 촉발된 글로벌 공급망 불안정으로 인해 첨단반도체 제조 공정에서 필수적인 ‘극자외선(EUV)노광장비’ 생산기업인 ASML을 보유한 네덜란드와의 전략적 협력 중요성은 그 어느 때보다도 커지고 있다.
ASML의 기술적 위상은 대체불가능한 수준으로서 ‘슈퍼을(乙)’로 일컬어질 정도다.
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